中锃半导体2025上海慕尼黑电子展
时间： 2025-05-17
——以尖端刻蚀技术赋能半导体制造未来
📌展会盛况
2025年4月15-17日中锃半导体位于上海新国际博览中心N3.759展位，围绕“高效、可靠、创新”主题，展示了多维度技术成果：
核心展示：等离子体干法刻蚀设备、第三代半导体（SiC）工艺解决方案、先进超声波检测技术。
🌟展会高光聚焦
1. ICP-RIE 3500M3 刻蚀设备
SiC/GaN/Si 特色沟槽刻蚀工艺平台
产品描述：
ICP3500M3 三腔体感应耦合等离子体刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于6/8寸 晶片的多功能刻蚀。ICP3500M干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher)，采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度均匀控制，满足刻蚀工艺的要求。
采用模块化设计，整机包括工艺模块（PM: Process Module）和传输模块（TM: Transfer Module）。晶片在工艺模块内进行刻蚀，同时传输模块装有机械手，实现晶片和工艺模块之间的传输。
2. IBE离子束刻蚀设备
IBE离子束刻蚀是一种利用高能离子束对样品表面进行物理溅射去除材料，从而实现精细刻蚀结构制造的技术。IBE离子束刻蚀技术主要通过高能离子束对材料表面进行撞击，实现材料的去除，是一种高精度、高效率的微纳加工技术，被广泛应用于多个领域。它可以对金属、合金、氧化物等多种材料进行选择性刻蚀，IBE可以实现纳米级别的高精度刻蚀。它可以均匀刻蚀各种材料，无化学选择性。刻蚀后的表面光滑，减少表面粗糙度。通过控制离子束角度，IBE可实现各向同性和各向异性刻蚀。
进行IBE刻蚀时，首先需要将待刻蚀的样品放置在真空腔室内，并清洁表面。接下来，在待刻蚀区域覆盖一层掩膜，保护不需要刻蚀的部分。启动离子源，产生高能离子束（通常使用氩气Ar）。控制离子束的能量、角度和曝光时间，对样品进行刻蚀。最后，去除保护性掩膜，得到最终的图案结构。
3. GAS01超声波扫描显微镜实机体验
GAS01超声波扫描显微镜是安全无损检测工具，借高频超声波信号穿透产品内部，经回波信号处理生成内部图像，能检测空洞、分层等缺陷，广泛用于新能源、半导体等行业。其采用最新研发的滤波器与前置放大器，图像分辨率达230MHz，最高5um；运用先进高速线性马达驱动电机，重复精度±0.5μm，扫描速度1000mm / 秒。
携手创新，智造未来！
