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RIE / ICP/ IBE刻蚀机系列
RIE/ICP/IBE Etching Machine Series
ICP4500 M3使用高密度等离子体源来蚀刻。 ICP4500蚀刻工艺会进行加热且附带磁约束腔体，因而可提供比传统 ICP 更高的等离子体密度。
SiC/GaN/Si特色沟槽刻蚀工艺平台
ICP4500 M1使用高密度等离子体源来蚀刻。 ICP4500蚀刻工艺会进行加热且附带磁约束腔体，因而可提供比传统 ICP 更高的等离子体密度。
SiC/GaN/Si特色沟槽刻蚀工艺平台
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ICP-RIE 3500M3, 3舱体感应耦合等离子体刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于6/8寸 晶片的多功能刻蚀。
SiC/GaN/Si 特色沟槽刻蚀工艺平台
ICP3500M1 单舱感应耦合等离子体刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于6/8寸 晶片的多功能刻蚀。
SiC/GaN/Si 特色沟槽刻蚀工艺平台
其他机器系列
Other Machine Series
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