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TECHNOLOGICAL
INNOVATION
技术创新
MOSFET沟槽刻蚀技术
从宏观上，AI和电动汽车为代表的新一代技术和应用，必然将对全球能源供应产生巨大压力，长期来看“能源约束必然会成为制约先进技术发展和领域渗透的关键因素，也就引致了重塑整个能源体系结构的巨大需求。
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SiC 等离子切割技术
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最大支持8寸晶圆 高密度反应离子/ICP选项
-支持完成高精密度特色工艺
-定位敏捷制造、定制化特色芯片的小批量生产
-支持 Gideon SiC TRENCH system
SiC 等离子体抛光
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等离子抛光是一种非接触式干法刻蚀工艺，用于替代传统的化学机械抛光（CMP），以提升SiC芯片表面质量，满足外延生长需求。
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