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中锃半导体CEO谭志明在香港科学园深圳分园
获科技创新奖

时间: 2025-03-12

         2025年3月,香港科学园深圳分园成功举办了深圳高科技企业促进会(简称“深圳高促会”)年度盛会。本次盛会汇聚了众多高科技企业代表、行业专家及政府官员,共同探讨科技创新与产业发展新趋势。在颁奖典礼上,中锃半导体(深圳)有限公司CEO谭志明凭借其在半导体领域的杰出贡献和创新成就,荣获“科技创新奖”,成为当晚的焦点人物。

         中锃半导体是一家专注于第三代半导体等离子刻蚀技术(RIE)与感应耦合等离子刻蚀技术(ICP)刻蚀机研发与生产的高科技企业。公司脱胎于香港华智科技,于2023年分拆成为独立公司,并于2024年3月正式入驻香港科学园深圳分园。自入驻以来,中锃半导体凭借其深厚的技术积累和创新能力,在半导体刻蚀设备领域取得了显著成果。

         谭志明作为中锃半导体的创始人兼CEO,深耕半导体行业已有42年。他凭借敏锐的市场洞察力和卓越的战略眼光,带领中锃半导体在激烈的市场竞争中脱颖而出。谭志明表示:“我们始终坚持创新研发,致力于突破核心技术,为客户提供高性价比和特色工艺技术的解决方案。此次荣获‘科技创新奖’,是对我们团队辛勤付出和创新成果的肯定,也是对我们未来发展的鞭策和动力。”

         在颁奖典礼上,谭志明分享了中锃半导体的创新历程和发展规划。他指出,国内半导体产业正处于快速发展阶段,市场需求庞大,政策环境优越。中锃半导体将紧抓这一历史机遇,持续加大研发投入,加速新产品开发和市场推广。同时,他还强调,中锃半导体将积极与产业链上下游合作伙伴开展深度合作,共同推动半导体产业的创新发展。

         香港科学园深圳分园作为内地首个由港方运营、适用国际管理规则的科研空间,已聚集了超50家香港科创机构和企业。这里创新氛围浓厚,为高科技企业提供了良好的发展环境和丰富的资源支持。谭志明表示:“入驻香港科学园深圳分园以来,我们深刻感受到了这里的创新活力和发展潜力。未来,我们将继续依托这一平台,不断提升自身的创新能力和核心竞争力。”

         此次荣获“科技创新奖”,不仅是对谭志明个人及中锃半导体创新成果的认可,也是对整个半导体行业创新发展的鼓舞和激励。相信在不久的将来,中锃半导体将在谭志明的带领下,继续秉承创新理念,不断攀登科技高峰,为半导体产业的繁荣发展做出更大贡献。

1. 技术创新与设备性能突破

公司在碳化硅沟槽刻蚀设备领域展现了显著的技术创新能力。例如,通过高精度的刻蚀腔室设计、气体供应系统优化以及射频电源系统的精确控制,实现了对碳化硅晶片的高精度刻蚀,显著降低了沟槽侧壁的粗糙度和底部微沟槽的形成。
设备中采用了激光测距仪实时监控刻蚀深度,避免了重复刻蚀导致的沟槽侧壁不平整问题,同时通过掩膜层处理系统和气体成分调整,优化了沟槽拐角处的形状,防止电场集中。

2. 工艺复杂性与材料特性挑战

克服碳化硅材料的高硬度和化学稳定性使得刻蚀工艺极为复杂。公司通过开发全新的工艺流程,解决了刻蚀精度、刻蚀损伤以及表面残留物控制等难题,确保了器件的高性能和可靠性。
例如,通过精密的光刻和剥离工艺,实现了图形化硬掩膜层的制备与去除,进一步提升了刻蚀工艺的稳定性和一致性。

3. 设备管理与自动化控制

公司可能在设备管理方面采用了先进的自动化控制系统,结合激光测距仪和精密驱动组件,实现了对碳化硅晶片位置的高精度调整,适应不同的刻蚀需求1。
这种高效的自动化控制不仅提升了设备运行效率,还为企业创新成果的转化提供了坚实基础。

4. 市场应用与行业贡献

碳化硅沟槽刻蚀设备可能已在半导体、新能源汽车、光伏储能等领域得到广泛应用,满足了市场对高效能、高可靠性设备的需求。
例如,在新能源汽车电驱动系统中,沟槽型碳化硅MOSFET可以显著提升系统效率和续航能力,而贵公司的设备为这类器件的制造提供了关键技术支持。

5. 专利与知识产权积累

公司在碳化硅刻蚀技术领域申请了多项专利,展现了强大的研发能力和技术壁垒。例如,类似的高精度刻蚀设备和工艺优化方法已在行业内获得广泛认可。

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