省、市发改委领导莅临香港科学园深圳分园
视察中锃半导体并会见CEO谭志明
时间： 2026-07-01
2026年7月1日，正值中国共产党成立105周年之际，广东省及深圳市发展和改革委员会领导一行莅临河套深港科技创新合作区香港科学园深圳分园，深入走访园区重点科创企业，实地调研深港科技创新协同发展最新成果。视察组专程来到中锃半导体（深圳）有限公司，与公司创始人兼CEO谭志明先生进行了深入交流。
聚焦“硬科技”，点赞国产半导体设备突围成果
中锃半导体是一家聚焦特色工艺领域“等离子体干法刻蚀设备”和“关键工艺解决方案”的高科技企业。公司脱胎于香港华智科技，2023年分拆独立，并于2024年3月15日正式入驻香港科学园深圳分园。公司专注于第三代半导体等离子刻蚀技术（RIE）与感应耦合等离子刻蚀技术（ICP）刻蚀机的研发与生产，提供碳化硅沟槽刻蚀的工艺技术解决方案。
视察过程中，发改委领导一行实地参观了中锃半导体的研发实验室和产品展示区，详细了解企业在碳化硅深刻蚀设备与工艺研发方面的最新进展。谭志明向视察组介绍，公司正全力开发针对碳化硅材料的深刻蚀设备和工艺（Deep SiC Etch），用以支持沟槽栅的实现和更广阔的器件设计窗口。
据介绍，碳化硅作为第三代半导体材料，能在更高频率和更宽温度范围内处理高压电流，可显著降低设备损耗、减轻重量并缩小体积。然而，碳化硅硬度极高（莫氏硬度9.5），实现其深刻蚀工艺是产业界长期面临的重大难题。凭借在等离子体刻蚀技术领域数十年的深厚积淀，谭志明带领团队攻坚克难，于2024年成功开发出ICP刻蚀系统样品机——不仅攻克了碳化硅深刻蚀的技术难题，更实现了该领域国产设备的“弯道超车”。据透露，该样板机既能对接国际一流品牌的效能，还能将成本压缩至国外设备的三分之一左右。
发改委领导对中锃半导体在半导体设备国产化方面取得的突破性成果给予高度评价，指出半导体设备是集成电路产业的基石，中锃半导体在碳化硅刻蚀设备领域的自主创新，对于保障我国半导体产业链安全、推动第三代半导体产业发展具有重要意义。
深港协同创新，河套沃土孕育“中国芯”力量
谭志明1982年踏入半导体行业，从90年代投身电子元器件工厂起步，逐步成长为香港半导体业界公认的“行家”。在先后考察华东、华南多个区域后，他最终选择落户深圳河套深港合作区。谈及选择河套的原因，谭志明表示，半导体行业创新周期长、前期投入高，靠单一区域或企业的力量难成气候，“河套一头连接着内地广阔的市场，一头对接着世界资源，对企业长远发展大有裨益”。
自入驻香港科学园深圳分园以来，中锃半导体充分受益于“一区两园”的独特优势。园区帮助企业对接海关、税务等机构，引荐人才，介绍融资渠道，有效解决了企业不同范畴的需要。在科研货物通关方面，企业研发工程师可随身携带科研货物从香港科学园出发，经河套跨境直通巴士快速进入深圳园区，科研设备和耗材享受免税优惠政策，大大缓解了企业的资金压力。谭志明特别提到，如今公司仅需三周左右就能完成一台设备的加工筹备，两地往来和资源调配效率已不可同日而语。
进驻河套当月，中锃半导体便成功获得国科京东方、国核曜能、望众资本等投资方数千万元人民币的天使轮融资。谭志明表示，河套融资环境好、资本力量强，为公司持续吸引高端技术人才、加大原型设备和关键工艺研发投入提供了有力支持。
锚定量产目标，助力中国碳化硅产业跑出“加速度”
在交流中，谭志明向发改委领导汇报了公司未来发展规划。他表示，团队计划2026年实现设备批量生产，到2027年力争达成年量产超一百台的目标。公司将持续携手产业生态伙伴和业内高手，共同开发和推动特色工艺半导体制程的发展，以领先的设备和工艺助力中国碳化硅产业发展跑出“加速度”。
发改委领导对中锃半导体的发展前景表示充分肯定，鼓励企业继续加大研发投入，把握河套合作区跨境专属政策与便利流动的机遇，积极对接内地庞大市场与产业链，同时链接国际创新资源。领导指出，省市发改委将持续优化营商环境，加大对硬科技企业的支持力度，助力更多像中锃半导体这样的科创企业在河套这片创新热土上茁壮成长。
视察结束后，谭志明表示：“在河套这片创新热土上，我们定能为中国半导体设备国产化进程按下‘加速键’”。中锃半导体将继续深耕第三代半导体刻蚀设备领域，为中国半导体产业链自主可控贡献“中锃力量”。
香港科学园深圳分园：深港科创合作的桥头堡
香港科学园深圳分园位于河套深港科技创新合作区深圳园区，是深港两地政府签署河套“一区两园”合作安排的重点项目，建筑面积约3万平方米，设有众创空间、独立办公室、干/湿实验室、会议及活动场地，是集孵化、中试、服务于一体的创新创业空间。截至2026年初，园区已吸引90家企业落户，募资超8亿元人民币。作为首个由港方运营的内地科创园区，香港科学园深圳分园正成为深港协同创新的标志性成果，为粤港澳大湾区科技合作提供“一站式”服务平台。
