型号简介
MODEL INTRODUCTION
ICP 4500 M1
ICP4500 M1 处理模块使用高密度等离子体源来蚀刻牢固结合的材料。 ICP4500蚀刻工艺模块会进行加热且附带磁约束腔体，因而可提供比传统 ICP 更高的等离子体密度（约 10 倍或者更高）。多路的气体比例调节使得腔体内部等离子体更均匀，会更大提高晶圆的均匀性，加热工艺腔体可改善平均清洁时距，等离子体密度越高，便可对牢固结合的材料实现更高的蚀刻速率。该设备主要用于6/8寸 晶片的多功能刻蚀。主要应用工艺包括（SiC刻蚀，氮化硅刻蚀，玻璃、石英，GaN、PZT、AlScN）、等材料的高精刻蚀。适用于SiC晶圆抛光及高深度SiC沟槽蚀刻。
整机采用模块化设计，整机包括工艺模块（PM: Process Module）和传输模块（TM: Transfer Module）。
性能描述
SYSTEM CHARACTERISTICS
关键部件
1.多路快速响应Horiba MFC控制的气体通道
2.双路气体比例分配系统均匀调节气体分布
3.大抽力Osaka分子泵
4.ADtec射频电源及匹配器系统（Bias Power 2000W及Top Power 2000W）
5.Thermo PC200冷水机
6.新松400A 6/8寸四边传输腔体
7.VAT Pendulum Valve 摆阀
8.高精度上下腔体温控系统
9.独特的等离子体增强模组
10.高性能静电卡盘模组
11.高精度背氦控制系统
12.倍福PLC工控系统
控制软件
•主控单元：Beckhoff PLC CX2040（Intel Atom 处理器，4GB 内存，UDinfo CFS-24DE 40GB）；
•操作界面：24 英寸彩色触控屏，支持鼠标 / 键盘扩展，支持中文英文双语切换操作；
•软件功能：配方管理（≥1000 组存储）、权限管理（4 级用户）、报警日志追溯；
•通讯接口：支持 EtherNet/IP、EtherCat、Modbus TCP、RS232、RS485。
集成化控制系统描述：
设备的核心控制与操作单元是一台集成了倍福PC控制技术的工业计算机（IPC）。该计算机在Windows操作系统环境下，运行TwinCAT自动化平台，实现了逻辑控制与操作界面的无缝集成。操作人员通过该计算机上的图形化界面，即可完成用户登录、工艺参数设置、真空管理、晶圆传输、射频调控、特气供给、晶圆刻蚀过程监控、异常处理、日志查询以及系统启停等全部操作。
选配
1.自动终止蚀刻（EPD）OES及IEP
2.氯气刻蚀腔
3.5000W射频电源和多级脉冲射频电源升级