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First generation R&D platform
中锃开发的第一代R&D平台，支持4-8寸的Si晶圆加工。为R&D需求的客户， 提供高质量的刻蚀工具，以支持高端特色工艺产品的开发和验证，并通过公司的设备平台和工艺服务推动Lab–Fab的无缝过渡硅基及化合物半导体蚀刻
1. Gas distribution board with annular splitter design (ASMD.GDP)
·Use annular tunnel and metal mesh to divert and block gas ·Form a micro-plenum chamber ·Different from the traditional distribution plate with dense air holes, only one or two air holes are needed to provide uniform gas to the chamber
2. Circular accordion cooling system (CAF-CS)
·This design allows the cold water to flow evenly to the cooling plate, without losing at the bottom due to convection. ·This design pushes the cold water evenly to extend the water retention period. ·There are concave and convex grooves between the bottom of the chuck and the top of the cooling plate to increase the heat conduction contact area, thereby improving cooling performance.
Select high-quality components, high cost performance
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Performance Description
SYSTEM CHARACTERISTICS
System Features
SYSTEM CHARACTERISTICS
Introduction
EVA 1201 RIE 具有出色的蚀刻能力 能力，可用于学术和工业研发 原型设计和小批量生产。
硬件：
1.独立的工艺室和 负载锁设计可保持腔室 真空和清洁
2. 适用于 4 英寸、6 英寸和 8 英寸晶片加工、 机器人手臂晶片传送
3. 多达 8 个 MFC 控制气体 通道
4. 高导涡轮泵 和高射频功率设置
5. 环形分流混合气体 配气盘和环形 冷却系统 设计实现了出色的蚀刻 均匀性
软件：
1. 远程访问和服务功能 服务。
2 多操作系统操作平台 包括 Windows 10、Windows 11 和 Linux
3 基于 PC 的用户友好型控制 界面、实时过程数据 显示、全自动蚀刻 处理。
4. 多组和用户访问权限 级别。用户友好型维护、 操作和配方编辑 和配方编辑屏幕。
5. 报警历史记录、安全超控和完整的 5. 维护界面中的报警历史记录、安全超控和全机器功能控制。维护界面。6. 自动定期数据存储 自动定期存储设备状态和 参数。
额定功率：
1. 额定电压： 220V - 240V
2. 频率： 60 赫兹
3. 最大额定输入电流： 30A
主要组件：
1. OSAKA TG900M 涡轮泵 -体积小巧，泵速高 900 升/秒 -快速启动和关闭时间 无振动 -无振动
2. CESAR 600W 射频发生器 -高射频功率，可实现更高的蚀刻率
3. INFICON SKY 压力传感器，用于 高精度压力测量 测量和控制
4. 用于 4 英寸、6 英寸、8 英寸晶圆处理的快速精确装载臂 6", 8" 晶圆处理
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SiC Trench Technology
Plasma cutting solution
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