等离子抛光（Plasma Polishing Dry Etching，PPDE）是一种非接触式干法刻蚀工艺，用于替代传统的化学机械抛光（CMP），以提升SiC芯片表面质量，满足外延生长需求。其核心原理是通过离子化气体（如Ar、O₂、CF₄等）在电磁场作用下选择性去除表面损伤层，同时保留高质量基底材料。

 

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技术流程与关键步骤

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1.预处理阶段

▪切片与粗磨：

     SiC晶锭经切割、粗磨后，表面存在亚微米级损伤层（如微裂纹、划痕）。

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▪等离子抛光：

     设备选型：采用中锃Gideon ICP3500M设备，支持150mm及200mm晶圆处理。

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▪工艺参数：

     真空度：低真空环境（约10⁻⁴~10⁻³ mbar）。

     气体配比：根据损伤层厚度调整反应气体（如O₂/CF₄混合气体）。

     刻蚀速率约0.1~1μm/min。

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▪表面处理目标：

     表面粗糙度（Ra）<0.5nm，亚表面损伤层完全去除