型号简介
MODEL INTRODUCTION

ICP 4500

ICP4500是一台全磁式电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备。结合反应离子刻蚀（RIE）原理，通过物理溅射与化学蚀刻的协同作用，实现对150毫米（6英吋）或200毫米（8英吋）半导体晶圆、化合物半导体（SiC刻蚀、氮化硅刻蚀、玻璃、石英、GaN、PZT、AlScN）等材料的高精刻蚀。适用于SiC晶圆抛光及高深度SiC沟槽蚀刻。

核心优势

· 采用双射频独立控制技术（ICP 源 + Bias 源），实现离子密度与离子能量的精准解耦；

· 多区温控与气体喷淋系统，保障晶圆面内刻蚀均匀性；

· 高密度等离子体源：ICP4500刻蚀机通过高密度等离子体源设计，其等离子体密度远优于传统ICP。这对于刻蚀强键合材料至关重要，能实现更高的刻蚀速率，并允许在更低压力下运行，从而获得更好的方向性和更少的副产物。

· 加热工艺腔体与磁约束：工艺腔体可加热至130°C，这有助于减少副产物沉积，延长维护周期。腔体周围的永磁体能进一步提高等离子体密度。

· 精准的温度控制：采用静电吸盘配合背氦冷却，确保晶圆在工艺过程中温度控制精确，从而显著提升刻蚀的重复性。

· 集成光学发射光谱（OES）终点检测，刻蚀深度控制误差 < 1nm；

· 全中文触控操作系统，支持工艺配方库、设备健康管理与数据追溯功能；

性能描述
SYSTEM CHARACTERISTICS

关键部件

1. 系统主控模组（工控机、配电模组）
2. 工艺腔体（上、下腔体）
3. 射频系统

4. 真空系统
5. 供气系统
6. 传输系统

集成化控制系统

设备的核心控制与操作单元是一台集成了倍福PC控制技术的工业计算机（IPC）。该计算机在Windows操作系统环境下，运行TwinCAT自动化平台，实现了逻辑控制与操作界面的无缝集成。操作人员通过该计算机上的图形化界面，即可完成用户登录、工艺参数设置、真空管理、晶圆传输、射频调控、特气供给、晶圆刻蚀过程监控、异常处理、日志查询以及系统启停等全部操作。所有控制指令均由该计算机内的软件PLC实时处理并执行。主操作页面如图1-3所示。

选配

-自动终止蚀刻（EPD）OES及IES
-氯气蚀刻仓
-KW射频电源升级

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